| 描述 | MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 6 毫欧 @ 14.5A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2510pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SO |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | FDS6676AS-NDFDS6676ASTR |
【Fairchild Semiconductor】FDS6676S,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDS6679AZ,MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680,MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680_L99Z,MOSFET N-Channel PWM Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDS6680A,MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC