| 描述 | MOSFET 30V N-Ch PowerTrench | 漏极连续电流 | 14.5 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.0052 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 30 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2.5 W | 上升时间 | 10 ns |
| 工厂包装数量 | 2500 | 典型关闭延迟时间 | 82 ns |
| 零件号别名 | FDS6676S_NL |
当越低越好； (2)应选择温度性能较好的器件封装形式： (3)额定漏源电压应大于15v； (4)所选mosfet应具有较低的门电荷，特别在高频工作状态时，更是如此。 对于低边mosfet，选择时首先应当考虑的是导通阻抗rds（on），原因是它的高边占空比较小，而导通阻抗对低边mosfet的功耗影响较大，将影响电路的dc/dc转换效率。对于图2电路，由于需要其输出的电流较大，因此电路中的每个通道都使用了两个低边mosfft。本设计中的s2～s3和s5～s6选择的是飞兆公司的fds6676s型mosfet管，该mosfet管的导通阻抗rds（on）为6mω。 在选择高边mosfet时，其门电荷和导通阻抗同样重要。因为高边mosfet的门电荷将影响转换速度并进而影响功耗。因此，应当综合考虑器件的门电荷和导通阻抗。实际上，对于大电流输出应用，如果电路的开关频率较高，高边mosfet也可以使用两个mosfet来进行设计。图2电路中使用的是飞兆公司的一个fds6694作为高边mosfet。 2.2 电感的选择 该电路使用了两个输出电感，而且两个输出电感分别分布在阿个通道上 ...
【Fairchild Semiconductor】FDS6679AZ,MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680,MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680_L99Z,MOSFET N-Channel PWM Logic Level
【Fairchild Semiconductor】FDS6680A,MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680A_Q,MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V