| 描述 | MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 500V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 265 毫欧 @ 10A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 55nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 3290pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 277W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 | 供应商设备封装 | TO-3P |
| 包装 | 管件 |
关模式电源(smps)和功率因子校正(pfc)设备，及四种200v器件，适用于dc/dc转换器。这些200v器件也适用于开关和脉冲宽度控制设备。 平面mosfet条状结构和更高的活动单元密度，能降低导通电阻、开关损耗和有效输出电容。这种新技术的引用包括两方面，即在p井之间形成补偿区域以提升rds(on) 值，以及采用自定位工艺以提高单元密度和稳定性。 批量1,000个时，fqd/u18n20v2、fqp18n20v2、fqpf18n20v2、fqp18n50v2、fqpf18n50v2和fqa18n50v2单价分别为1.50、1.80、1.80、3.00、3.00和3.50美元。现已有样品提供及批量出货，大量订单所需的预订时间为12周或以上。 来源:xiangxueqin ...
【Fairchild Semiconductor】FQA19N20C,MOSFET N-CH 200V 21.8A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA19N20L,MOSFET N-CH 200V 25A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA19N60,MOSFET N-CH 600V 18.5A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA20N40,MOSFET N-CH 400V 19.5A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA22P10,MOSFET P-CH 100V 24A TO-3P
【Fairchild Semiconductor】FQA24N50,MOSFET N-CH 500V 24A TO-3PN