| 描述 | MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.071 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-220 |
| 封装 | Tube | 下降时间 | 195 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 156 W |
| 上升时间 | 240 ns | 典型关闭延迟时间 | 295 ns |
【Fairchild Semiconductor】IRF654B_FP001,MOSFET 250V N-Channel B-FET
【International Rectifier】IRF6601,MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6602,MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6603,MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6603TR1,MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6604,MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6604TR1,MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6607,MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET