描述 | MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 11A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 13 毫欧 @ 11A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.3V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 18nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1420pF @ 10V |
功率 - 最大 | 2.3W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET? 等容 MQ | 供应商设备封装 | DIRECTFET? MQ |
包装 | 剪切带 (CT) | 其它名称 | IRF6602CT |
【International Rectifier】IRF6603,MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6603TR1,MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6604,MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6604TR1,MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6607,MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6607TR1,MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6608,MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
【International Rectifier】IRF6608TR1,MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET