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  • IRF6603TR1

IRF6603TR1

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C27A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.4 毫欧 @ 25A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs72nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds6590pF @ 15V
功率 - 最大3.6W安装类型表面贴装
封装/外壳DirectFET? 等容 MT供应商设备封装DIRECTFET? MT
包装带卷 (TR)

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