描述 | MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode | 漏极连续电流 | 3.2 A |
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电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.09 Ohms | 配置 | Single Triple Drain Dual Source |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SSOT-6 | 封装 | Reel |
下降时间 | 19 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 1.6 W | 上升时间 | 19 ns |
典型关闭延迟时间 | 15 ns |
【Fairchild Semiconductor】NDC652P_F095,MOSFET -30V 2.4A P-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】NDC7001C,MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6
【Fairchild Semiconductor】NDC7001C_Q,MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDC7002N,MOSFET 2N-CH 50V 510MA SSOT6
【Fairchild Semiconductor】NDC7002N_Q,MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE
【Fairchild Semiconductor】NDC7002N_SB9G007,MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT