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NDC651N_Q

描述MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode漏极连续电流3.2 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.09 Ohms配置Single Triple Drain Dual Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SSOT-6封装Reel
下降时间19 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散1.6 W上升时间19 ns
典型关闭延迟时间15 ns

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