| 描述 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA | 存储器类型 | 易失 |
|---|---|---|---|
| 存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - DDR3 |
| 存储容量 | 1Gb | 存储器组织 | 128M x 8 |
| 存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 800 MHz |
| 写周期时间 - 字，页 | 15ns | 访问时间 | 20 ns |
| 电压 - 供电 | 1.425V ~ 1.575V | 工作温度 | -40°C ~ 95°C（TC） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 78-VFBGA |
| 供应商器件封装 | 78-FBGA（8x10.5） |
【Fairchild Semiconductor】NDT2955,MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT2955_J23Z,MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDT2955_Q,MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE
【Fairchild Semiconductor】NDT3055,MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT3055_J23Z,MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDT3055L,MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT3055L_Q,MOSFET SOT-223 N-CH LOGIC
