| 描述 | MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4 | FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.5A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 300 毫欧 @ 2.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 601pF @ 30V | 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NDT2955TR |
【Fairchild Semiconductor】NDT2955_J23Z,MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDT2955_Q,MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE
【Fairchild Semiconductor】NDT3055,MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT3055_J23Z,MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDT3055L,MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT3055L_Q,MOSFET SOT-223 N-CH LOGIC
【Fairchild Semiconductor】NDT451AN,MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
