| 描述 | POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE | FET 类型 | N 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 95 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 2.8mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 58 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2833 pF @ 400 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | 208W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-247-4 |
| 封装/外壳 | TO-247-4 |
【ON Semiconductor】NTHC5513T1G,MOSF N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 1206A
【ON Semiconductor】NTHD2102PT1G,MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET
【ON Semiconductor】NTHD3100CT1,MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET
【ON Semiconductor】NTHD3100CT1G,MOSFET N/P-CH 20V 2.9A CHIPFET
【ON Semiconductor】NTHD3100CT3,MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET
