| 描述 | MOSF N/P-CH 20V 2.9A/2.2A 1206A | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.9A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 1.1W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 | 供应商设备封装 | ChipFET? |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTHC5513T1GOSNTHC5513T1GOS-NDNTHC5513T1GOSTR |
产品型号:nthc5513t1g源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):80最大漏极电流id(on)(a):3.900通道极性:n/p沟道封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:20 v, +3.9 a/-3.0 a功率mosfet价格/1片(套):￥2.40 来源:xiangxueqin ...
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