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NTHD2102PT1

描述MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)8V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C58 毫欧 @ 3.4A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 2.5V输入电容 (Ciss) @ Vds715pF @ 6.4V
功率 - 最大1.1W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线供应商设备封装ChipFET?
包装带卷 (TR)其它名称NTHD2102PT1OS

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