| 描述 | MOSFET SSOT-6 P-CH -20V | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.17 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Dual | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SSOT-6 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 9 ns |
| 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 4 S | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 0.96 W | 上升时间 | 9 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDC6310P,MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6310P_Q,MOSFET Dual P-Ch 2.5V Spec Power Trench
【Fairchild Semiconductor】FDC6312P,MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6318P,MOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】FDC6320C,MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT6