描述 | MOSFET SO-8 | 漏极连续电流 | 14.5 A |
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电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.007 Ohms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SOIC-8 Narrow | 封装 | Reel |
下降时间 | 40 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 2.5 W | 上升时间 | 9 ns |
工厂包装数量 | 2500 | 典型关闭延迟时间 | 87 ns |
【Fairchild Semiconductor】FDS6676AS,MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6676S,MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】FDS6679AZ,MOSFET P-CH 30V 13A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680,MOSFET N-CH 30V 11.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】FDS6680_L99Z,MOSFET N-Channel PWM Logic Level