描述 | MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode | 漏极连续电流 | 4.1 A |
---|---|---|---|
电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.039 Ohms | 配置 | Single Triple Drain Dual Source |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
封装 / 箱体 | SSOT-6 | 封装 | Reel |
下降时间 | 25 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
功率耗散 | 1.6 W | 上升时间 | 25 ns |
工厂包装数量 | 10000 | 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
【Fairchild Semiconductor】NDC631N_F095,MOSFET 20V 4.1A N-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】NDC632P,MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】NDC632P_F095,MOSFET -20V -2.7A P-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】NDC651N_F095,MOSFET 30V 3.2A N-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】NDC651N_Q,MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDC652P_F095,MOSFET -30V 2.4A P-CH ENHANCEMENT MODE