| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 140 毫欧 @ 2.7A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 550pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 800mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 供应商设备封装 | 6-SSOT |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NDC632P-ND |
【Fairchild Semiconductor】NDC632P_F095,MOSFET -20V -2.7A P-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】NDC651N_F095,MOSFET 30V 3.2A N-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】NDC651N_Q,MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDC652P_F095,MOSFET -30V 2.4A P-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】NDC7001C,MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6
