| 描述 | MOSFET 20V 4.1A N-CH ENHANCEMENT MODE | 漏极连续电流 | 4.1 A |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Triple Drain Dual Source | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SuperSOT-6 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 25 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 1600 mW |
| 上升时间 | 25 ns | 工厂包装数量 | 3000 |
| 典型关闭延迟时间 | 28 ns |
【Fairchild Semiconductor】NDC632P,MOSFET P-CH 20V 2.7A SSOT-6
【Fairchild Semiconductor】NDC632P_F095,MOSFET -20V -2.7A P-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】NDC651N_F095,MOSFET 30V 3.2A N-CH ENHANCEMENT MODE
【Fairchild Semiconductor】NDC651N_Q,MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDC652P_F095,MOSFET -30V 2.4A P-CH ENHANCEMENT MODE