描述 | IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA | 存储器类型 | 易失 |
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存储器格式 | DRAM | 技术 | SDRAM - DDR3 |
存储容量 | 1Gb | 存储器组织 | 64M x 16 |
存储器接口 | 并联 | 时钟频率 | 800 MHz |
写周期时间 - 字,页 | 15ns | 访问时间 | 20 ns |
电压 - 供电 | 1.425V ~ 1.575V | 工作温度 | -40°C ~ 95°C(TC) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 96-VFBGA |
供应商器件封装 | 96-FBGA(8x13) |
【Fairchild Semiconductor】NDT2955,MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT2955_J23Z,MOSFET P-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDT2955_Q,MOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE
【Fairchild Semiconductor】NDT3055,MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT3055_J23Z,MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode